TSM045NB06CR RLG
Numer produktu producenta:

TSM045NB06CR RLG

Product Overview

Producent:

Taiwan Semiconductor Corporation

Numer części:

TSM045NB06CR RLG-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 16A/104A 8PDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 16A (Ta), 104A (Tc) 3.1W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)

Magazyn:

12895763
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

TSM045NB06CR RLG Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Taiwan Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16A (Ta), 104A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6870 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.1W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PDFN (5.2x5.75)
Pakiet / Walizka
8-PowerLDFN
Podstawowy numer produktu
TSM045

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
TSM045NB06CRRLGDKR
TSM045NB06CRRLGTR
TSM045NB06CRRLGCT
Pakiet Standard
2,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
taiwan-semiconductor

TSM340N06CH X0G

MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO251

taiwan-semiconductor

TSM1N45CT B0G

MOSFET N-CH 450V 500MA TO92

taiwan-semiconductor

TSM126CX RFG

MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23

taiwan-semiconductor

TSM160P04LCRHRLG

MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN